- 職種名
- 高年収／パワー半導体向け単結晶成長プロセス技術開発、製品設計及び工程・設備設計
- 仕事内容
- 【概要】パワー半導体向けウェハ製造に向けた要素技術及びプロセス技術設計、それに関わる生産技術開発
【業務】
・パワー半導体向け単結晶成長技術の開発及び製品仕様・プロセス設計
・単結晶製造設備制御技術開発
・ウェハ製造のための、生産技術開発
・ウェハ製造に関わる設備設計及び工程設計
・ウェハ製品/製造工程品質保証及び管理
・社内外関連部署、仕入先、顧客との折衝
・開発技術の権利化
【ミッション】
SiCプロジェクト室は24年4月に新たに発足した部署であり、パワー半導体(SiC)に関わるプロセス技術開発、製品設計、生産技術開発、設備・工程設計を進めており、社内から高い期待が寄せられています。慣習や年齢、役職にとらわれず一人ひとりが能力を発揮できる組織風土です。
【魅力】
■要素技術開発から製品、設備、工程設計までの一気通貫で多岐な業務を経験できます。自分の作ったものが顧客・社会課題解決に貢献しているというやりがいが感じられます
■システム、素子設計部署との連携を通じて、半導体分野の幅広い知識、技術のスキルアップができ、国内外の拠点を活用したグローバルな事業を牽引することができます
■社内外の専門家との連携を通じて、自身の専門性を向上させることができます
【採用背景】
カーボンニュートラル社会を背景に車両の電動化市場拡大、それに伴うパワー半導体への市場ニーズも拡大しています。SiCプロジェクト室としては、その中核となるSiC半導体に対して、素子、システム、OEMからのニーズを対応した、ウェハの要素技術開発、製品設計、工程設計を一気通貫した業務を担っています。
市場拡大のタイミングをしっかり掴まえて、社会の電動化に貢献できる高品質なSiC半導体を市場に供給するための技術確立、製品化を一緒に牽引してくれる開発・設計・製造分野での仲間を募集しています。
【組織構成】
20代～50代といった年齢層、開発、設計、製造といった経験をもつメンバーで構成された室となっています。半導体だけでなく、素材・化学分野からの転職者もおり、旧職の知見や経験を生かして活躍されています。 - 求める経験・スキル
- 【必須要件】
■無機材料、パワーエレクトロニクス、半導体のどれかの基礎知識
■以下のご経験
・半導体ウェハの製品設計、評価経験
または
・無機材料プロセス開発、工程設計経験
または
・結晶成長技術開発、生産技術開発及び設計方 - 募集要項
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勤務地 愛知県 日進市米野木町南山500-1（先端研）
三重県 いなべ市大安町門前1530給与 年収 500万〜1250万円
年収例（時間外除く）：20代後半640万円／35歳850万円／40歳管理職1250万円勤務時間 08:40〜17:40 試用期間 有 3ヵ月 休日休暇 ◎完全週休2日制（土曜・日曜） ◎GW・夏期・年末年始 ◎有給休暇（最高20日/1年） ◎特別休暇 ◎慶弔休暇 ◎産前・産後休暇 ◎子の看護休暇（子1人：年5日 子2人以上：年10日） ◎介護休暇
年間休日121日待遇・福利厚生 ■健康保険 ■厚生年金 ■雇用保険 ■労災保険
◎通勤手当 ◎家族手当 ◎残業手当 ◎役職手当 ◎資格手当 ■その他…海外トレーニー制度/海外大学院留学制度/育成ローテーション制度/社内公募制度/FAローテーション制度/階層別教育/スキルアップ研修/ハイタレント研修/キャリアデザイン制度/よりそいトーク
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デンソーへの転職支援実績あり
- 厚生労働省許可番号
- 13-ユ-301658
- 職業紹介許可年
- 2006年
更新日 2025年06月27日
