- 職種名
- SiGe・SiPhoデバイス開発エンジニア
- 仕事内容
- RFデバイス（主にSiGe BiCMOS）並びにSi Photonicsのデバイス開発、もしくは、それら開発ウエーハの作製を取り仕切るインテグレーションを行っていただきます。
【具体的には】
■ 顧客・市場要求から、性能とコスト競争力のあるデバイス（FET、各種能動／受動素子）を開発する。
■プロセス開発とデバイス開発を盛り込んだSiウエーハ作製フローを構築し、開発ウエーハ作製を具体化する。
■顧客やベンダーなどと技術のやり取りを通じて、満足度を与えながら開発課題の対応を行う。
■国内外のチームメンバーと円滑なコミュニケーションとチーム内の技術調整。
■英語による国外関係者との技術調整。
◆おすすめポイント◆
■同社はパナソニックとイスラエルの半導体製造技術を兼ね備えた半導体の受託製造を行う会社です。現在はパナソニックが台湾の企業に売却し、完全外資系企業になりました。
■しかし、これまでのパナソニックの製造工場をそのまま踏襲しており、人事制度もパナソニック本体のものを活かしており、福利厚生制度の充実したグローバル企業です。
■富山・新潟へのUIターン大歓迎！住宅手当や単身赴任手当が充実しております。 - 求める経験・スキル
- 【必須条件】
■半導体デバイス・プロセスの開発経験、知識
■光学デバイス・プロセスの開発経験、知識
■半導体デバイスもしくは光学デバイスの特性評価経験
■チームワークを重視し、周囲と協調して働ける方
■英語でのコミュニケーション能力
【歓迎要件】
■半導体製造の知識、経験
■光学デバイス製造の知識、経験 - 募集要項
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勤務地 富山県魚津市東山800番地 給与 年収 600万〜850万円
月給：28万円～
昇給・賞与：給与改訂サイクル年1回、賞与年2回（7月、12月/昨年度実績5ヶ月）
手当：通勤手当、単身赴任手当勤務時間 08:30〜17:15
勤務時間 8:30～17:15
休憩時間：45分
月平均残業時間 10時間程度
フレックス勤務 有り
コアタイム 無し試用期間 3ヶ月
※本採用時と条件変更なし休日休暇 年間休日127日、完全週休二日(土日)
祝日 夏季休暇 年末年始休暇 慶弔 有給休暇（年間20日付与※入社月より付与日数変動あり）待遇・福利厚生 社会保険完備（健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険）、退職金制度あり、単身赴任者帰省旅費、寮・社宅・住居費補助制度あり、社員食堂・売店あり、入社前検診費用会社負担、各種有給制度多数
この求人は以下の転職エージェントが、ご相談や条件交渉などのサポートを無料で行います
タワーパートナーズセミコンダクターへの転職支援実績あり
- 厚生労働省許可番号
- 17-ユ-300108
- 職業紹介許可年
- 2010年
更新日 2024年10月09日
